【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种对准掩膜版以及半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、目前，许多类型的半导体器件在制造过程中都会采用多次外延工艺生长缓冲层、耐压层等多层外延层。在制造过程中需要多次进行带掩膜的注入掺杂，以在多层外延层上形成所需的掺杂区，因此需要多次使用到光刻掩膜版或者需要使用多张光刻掩膜版，这会涉及到相邻两次所使用的光刻掩膜版的对准问题。
2、目前，通常采用对准掩膜版在外延层上形成对准标记，但当外延工艺的次数较多时，需要用到多张对准掩膜版，使用较为麻烦。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种对准掩膜版，能够通过重复使用一张对准掩膜版完成半导体器件的多次外延工艺。
2、根据本专利技术的第一方面实施例的对准掩膜版，对准掩膜版包括都采用相同图案的第一对准图案、第二对准图案、第三对准图案以及第四对准图案；第一对准图案、第三对准图案、第二对准图案及第四对准图案绕对准掩膜版的几何中心依次分布；对准掩膜...
【技术保护点】
1.一种对准掩膜版，其特征在于，所述对准掩膜版包括都采用相同图案的第一对准图案、第二对准图案、第三对准图案以及第四对准图案；
2.根据权利要求1所述的对准掩膜版，其特征在于，所述第一对准图案的数量、所述第二对准图案的数量、所述第三对准图案的数量和所述第四对准图案的数量都为多个；
3.根据权利要求2所述的对准掩膜版，其特征在于，多个所述第一对准图案和多个所述第三对准图案都沿所述对准掩膜版的宽度方向依次间隔分布，多个所述第二对准图案和多个所述第四对准图案沿所述对准掩膜版的长度方向依次间隔分布。
4.根据权利要求1所述的对准掩膜版，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种对准掩膜版，其特征在于，所述对准掩膜版包括都采用相同图案的第一对准图案、第二对准图案、第三对准图案以及第四对准图案；
2.根据权利要求1所述的对准掩膜版，其特征在于，所述第一对准图案的数量、所述第二对准图案的数量、所述第三对准图案的数量和所述第四对准图案的数量都为多个；
3.根据权利要求2所述的对准掩膜版，其特征在于，多个所述第一对准图案和多个所述第三对准图案都沿所述对准掩膜版的宽度方向依次间隔分布，多个所述第二对准图案和多个所述第四对准图案沿所述对准掩膜版的长度方向依次间隔分布。
4.根据权利要求1所述的对准掩膜版，其特征在于，所述对准掩膜版包括外围区域和内部区域，所述外围区域呈环形设置，所述内部区域位于所述外围区域的环内；
5.根据权利要求4所述的对准掩膜版，其特征在于，所述内部区域包括多...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦潇峰，金涛，温贵宝，冯志强，任杰，
申请(专利权)人：浙江旺荣半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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