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本发明公开了一种ZnCrVO压电薄膜超声传感器及其制备方法,属于涂层材料技术领域,包括由内至外依次设置的结晶诱导层、支撑层、压电功能层和保护层,所述压电功能层为(002)取向的柱状晶ZnCrVO涂层。本发明的有益效果是:将Cr和V共同掺杂到...该专利属于武汉珈联传感科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉珈联传感科技有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种ZnCrVO压电薄膜超声传感器及其制备方法,属于涂层材料技术领域,包括由内至外依次设置的结晶诱导层、支撑层、压电功能层和保护层,所述压电功能层为(002)取向的柱状晶ZnCrVO涂层。本发明的有益效果是:将Cr和V共同掺杂到...