温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文涉及用于沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的自对准沟槽底部保护区域。提供了一种沟槽栅极MOSFET以及在沟槽栅极MOSFET中的沟槽栅极的底部表面处形成自对准沟槽底部保护区域的方法。方法包括在具有第二导电类型的半导体本体区域内形成具有...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。