【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例一般涉及沟槽栅极金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件，并且更具体地，涉及在沟槽栅极mosfet的沟槽栅极的底部表面处形成沟槽底部保护区域。
技术介绍
1、沟槽栅极mosfet包括沟槽栅极，沟槽栅极垂直定位在半导体材料中以导通和关断通过mosfet的电流。通过利用沟槽栅极mosfet可以实现某些优势。其中沟槽栅极配置尤其使得能够在半导体衬底上制造更高密度的mosfet器件。此外，相邻单元可以被容易地连接以并行工作。沟槽栅极mosfet已被证明表现出进一步的优势，诸如低特异性导通电阻、高功率密度、快切换速度和低切换损耗。这种优势使沟槽栅极mosfet成为半导体器件中很有前途的解决方案。
2、申请人已经发现与沟槽栅极mosfet的制造和操作相关联的许多技术挑战和困难。通过应用努力、独创性和创新，申请人已经解决了涉及本公开中体现的沟槽栅极mosfet的制造和操作的问题，在下文中将对这些问题进行详细描述。
技术实现思路
1、各种实施例针对用于在沟槽栅极mosfe...
【技术保护点】
1.一种在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件中形成沟槽底部保护区域的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述通道注入过程以低离子能量使所述屏蔽掺杂剂朝向所述MOSFET器件加速。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述低离子能量在30千电子伏和3000千电子伏之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述通道注入过程以注入角度使所述屏蔽掺杂剂朝向所述MOSFET器件加速，并且
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述注入角度在3.5度和4.5度之间。
6.根据权利要求1所述的方
...【技术特征摘要】
1.一种在金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)器件中形成沟槽底部保护区域的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述通道注入过程以低离子能量使所述屏蔽掺杂剂朝向所述mosfet器件加速。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述低离子能量在30千电子伏和3000千电子伏之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述通道注入过程以注入角度使所述屏蔽掺杂剂朝向所述mosfet器件加速，并且
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述注入角度在3.5度和4.5度之间。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述本体接触区域以本体接触掺杂浓度进行掺杂。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体本体区域以半导体本体浓度进行掺杂。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述本体接触掺杂浓度大于所述半导体本体浓度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一导电类型是...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·M·卡玛勒里，L·L·斯卡利亚，E·扎内蒂，M·G·萨吉奥，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。