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本发明提供一种考虑电离层电子含量垂直分布的三维结构反演方法及设备，采用球谐函数模型描述电离层电子含量的二维平面结构，计算电离层电子含量垂直分布比例，基于多层假设设置全球电离多层分布结构，建立全球电离层三维模型，实现反演电离层三维结构。本发明...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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