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本发明提供了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，该方法包括：向预设基底沉积具有高介电常数的栅氧化层；在沟槽侧壁形成可分解薄膜侧壁层；沉积金属栅电极材料在沟槽内形成金属栅电极，去除层间介质层上方的栅氧化层；沉积多孔薄膜层，刻蚀沟槽两侧侧壁的...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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