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本申请涉及一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法，包括沿硅片基底长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，非接触区域与接触区域之间带有侧壁；接触区域包括自靠近硅片基底的一侧向远离硅片基底的一侧依次设置的隧穿氧化层、掺磷多晶硅层和电极栅线；隧穿...
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