一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法技术

本申请涉及一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法，包括沿硅片基底长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，非接触区域与接触区域之间带有侧壁；接触区域包括自靠近硅片基底的一侧向远离硅片基底的一侧依次设置的隧穿氧化层、掺磷多晶硅层和电极栅线；隧穿氧化层的厚度为1nm‑5nm，掺磷多晶硅层的厚度为50nm‑200nm；非接触区域、接触区域和侧壁上均沉积有氧化铝/氮化硅叠层，接触区域的氧化铝/氮化硅叠层位于掺磷多晶硅层的外侧，非接触区域的氧化铝/氮化硅叠层位于硅片基底上；侧壁自靠近非接触区域向接触区域逐渐倾斜向上设置，侧壁的倾角α为40°‑90°。本申请具有钝化效果好且生产成本低的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及太阳能电池的，尤其是涉及一种n型指状多晶硅钝化结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着光伏行业的发展，晶硅太阳能电池的转换效率不断提升，近年来，n型隧穿氧化层钝化接触（topcon）电池逐渐成为市场主流，转换效率超过25%。作为该类型电池的核心结构，超薄氧化硅/掺杂多晶硅叠层兼具了钝化和接触作用，可以作为电池表面，尤其是n型表面及接触区域的钝化膜层。

2、然而，多晶硅膜层具有较强的寄生吸收，会严重影响电池的光生电流。因此，topcon叠层结构一般仅用于电池的背表面。即便如此，背面的多晶硅层仍然会对电池长波响应造成不利影响，进而降低电池短路电流密度（jsc）。

3、topcon结构主要作用是减小电极接触区域的少子复合速率，降低背面非接触区域的多晶硅层厚度，可以在一定程度上解决topcon电池长波响应较差的问题。目前，主要的技术工艺路线大致分为三类：1、利用激光氧化工艺，在背面接触区域制备氧化硅作为阻挡层，并用碱液对非接触区域的多晶硅层进行刻蚀，最后用氢氟酸（hf）去除接触区域的氧化硅。2、以抗碱性的掩膜层保护接触区域并配合碱液本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：包括硅片基底（1），所述硅片基底（1）的背面包括沿硅片基底（1）长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，所述非接触区域与接触区域之间带有侧壁（7）；

2.根据权利要求1所述的一种N型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：所述氧化铝/氮化硅叠层（4）包括氧化铝膜、第一减反射膜和第二减反射膜，所述氧化铝膜位于靠近硅片基底（1）的一侧，所述第一减反射膜和第二减反射膜位于氧化铝膜远离硅片基底（1）的一侧，所述氧化铝膜的厚度为2nm-10nm，所述第一减反射膜和第二减反射膜均为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅的一种或几种组合，所述第一减反射膜和第二减发射膜...

【技术特征摘要】

1.一种n型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：包括硅片基底（1），所述硅片基底（1）的背面包括沿硅片基底（1）长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，所述非接触区域与接触区域之间带有侧壁（7）；

2.根据权利要求1所述的一种n型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：所述氧化铝/氮化硅叠层（4）包括氧化铝膜、第一减反射膜和第二减反射膜，所述氧化铝膜位于靠近硅片基底（1）的一侧，所述第一减反射膜和第二减反射膜位于氧化铝膜远离硅片基底（1）的一侧，所述氧化铝膜的厚度为2nm-10nm，所述第一减反射膜和第二减反射膜均为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅的一种或几种组合，所述第一减反射膜和第二减发射膜的厚度总和为60nm-100nm。

3.根据权利要求1所述的一种n型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：所述侧壁（7）的倾角α为62°-88°。

4.根据权利要求1所述的一种n型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：所述接触区域还包括用于印刷电极栅线（5）...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁伟明，安欣睿，朱玺，张晨，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：