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本申请涉及半导体保护膜领域，公开一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜及其制备方法。一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜由以下重量份的原料制得：聚全氟乙丙烯分散液20‑30份、聚四氟乙烯分散液18‑28份、耐热剂12‑20份、抗静电剂4.5‑8.5份...
该专利属于广东派尔新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东派尔新材料科技有限公司授权不得商用。

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