【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体保护膜的领域，更具体地说，它涉及一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜及其制备方法。
技术介绍
1、半导体光刻工序中，光源需要通过光刻掩膜版，将电路结构映射在光刻胶上，才能实现在微观尺度构建电路。掩膜版保护膜，是一种透明的薄膜，在生产中覆盖在掩膜版的表面，保护掩膜版表面的图案免受在搬运或使用过程中的物理损伤，防止灰尘和其他污染物落在掩膜版表面，同时能够防止化学试剂或腐蚀性气体与掩膜版表面发生化学反应，避免影响半导体光刻工艺中图形转移的精度和稳定性。
2、目前，常用的掩膜版保护膜分为两种：硬掩膜版保护膜和软掩膜版保护膜。硬掩膜版保护膜通常由耐腐蚀和硬度较高的材料构成，如si3n4，sio2，多晶硅等。软掩膜版保护膜由聚合物材料构成，含氟树脂，如聚四氟乙烯和其他含f的聚合物，被广泛应用于掩模版保护膜。
3、但是由于含氟树脂具有优异的绝缘性，在使用过程中容易使得静电电荷产生集聚，在掩膜版表面引发周期性放电，使得光刻图形可能因放电热量而损坏；且在光刻高能紫外光辐照条件下，保护膜容易因热效应而产生老化，使得光刻图
【技术保护点】
1.一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，由以下重量份的原料制得：
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述耐热剂由以下重量份的原料制得：
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述烯基苯基类缩水甘油醚为4-乙烯基苯基缩水甘油醚和/或二异丙烯基苯基缩水甘油醚。
4.根据权利要求2所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述溶剂为N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺中的任意一种；所述催化剂为过氧化二苯甲酰。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，由以下重量份的原料制得：
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述耐热剂由以下重量份的原料制得：
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述烯基苯基类缩水甘油醚为4-乙烯基苯基缩水甘油醚和/或二异丙烯基苯基缩水甘油醚。
4.根据权利要求2所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述溶剂为n,n-二甲基乙酰胺、n-甲基吡咯烷酮和n,n-二甲基甲酰胺中的任意一种；所述催化剂为过氧化二苯甲酰。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特征在于，所述耐热剂由以下步骤制得：
6.根据权利要求1所述的一种用于半导体的光刻掩膜版保护膜，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丹丹，邱燕平，
申请(专利权)人：广东派尔新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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