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本发明公开了一种闪存浮栅的形成方法，包括：提供形成有隔离介质层的半导体衬底。在器件单元区的半导体衬底表面形成浮栅介质层。形成浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层覆盖在器件单元区和外围区。采用湿法刻蚀工艺对浮栅多晶硅层进行刻蚀并使器件单元区的浮栅多晶硅...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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