闪存浮栅的形成方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存浮栅的形成方法，包括：提供形成有隔离介质层的半导体衬底。在器件单元区的半导体衬底表面形成浮栅介质层。形成浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层覆盖在器件单元区和外围区。采用湿法刻蚀工艺对浮栅多晶硅层进行刻蚀并使器件单元区的浮栅多晶硅层的厚度减少到浮栅所需要厚度。进行图形化刻蚀将外围区的浮栅多晶硅层去除，由保留在器件单元区的浮栅多晶硅层作为浮栅。本发明专利技术能改善浮栅厚度的均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种闪存浮栅的形成方法。

技术介绍

1、55nm以及以下制程中闪存的浮栅(fg)在有源区(aa)工艺环(loop)后形成，可以与逻辑工艺较好地融合。现有方法中，浮栅的厚度由化学机械研磨(cmp)+干法刻蚀(et)定义，受负载(loading)差异的影响较大，fg厚度(thk)均一性(uniformity)较差。浮栅通常采用多晶硅(poly，pl)形成，故浮栅也表示为fgpl。fgpl et的等离子(plasma)还容易损伤(damage)栅氧即浮栅和半导体衬底之间的氧化层，栅氧损伤后会影响器件的性能。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种闪存浮栅的形成方法，能改善浮栅厚度的均一性。

2、本专利技术提供的闪存浮栅的形成方法包括如下步骤：

3、提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有隔离介质层，所述隔离介质层之间的所述半导体衬底作为有源区。

4、在闪存的器件单元区的所述半导体衬底表面形成浮栅介质层，所述器件单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存浮栅的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括：TMAH。

3.如权利要求2所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述图形化刻蚀包括如下分步骤：

4.如权利要求3所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述第一掩膜层图形的光刻工艺复用所述器件单元区的光罩。

5.如权利要求3所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述第一掩膜层图形采用光刻胶图形或者采用介质层图形或者采用介质层和光刻胶的叠加图形。

6.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种闪存浮栅的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括：tmah。

3.如权利要求2所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述图形化刻蚀包括如下分步骤：

4.如权利要求3所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述第一掩膜层图形的光刻工艺复用所述器件单元区的光罩。

5.如权利要求3所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述第一掩膜层图形采用光刻胶图形或者采用介质层图形或者采用介质层和光刻胶的叠加图形。

6.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

7.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述隔离介质层采用浅沟槽隔离。

8.如权利要求1所述的闪存浮栅的形成方法，其特征在于：所述隔离介质层的顶部表面高于所述半导体衬底的顶部表面，且所述隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：马开阳，高毅，左睿昊，周婧涵，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：