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本发明提供了一种厚铝刻蚀工艺后光刻胶的去除方法，包括以下步骤：S1.提供厚铝刻蚀后的晶圆，所述晶圆表面形成有待去除的光刻胶；S2.引入氧气和氮气的混合气体，对所述晶圆进行等离子表面预处理，去除所述光刻胶表面的碳化硬壳；S3.对所述晶圆进行干...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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