【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种厚铝刻蚀工艺后光刻胶的去除方法。
技术介绍
1、在半导体制造领域，铝干法刻蚀工艺是一种广泛应用的关键技术。该工艺主要采用氯基气体作为刻蚀介质，然而在刻蚀过程中，会不可避免地产生大量含氯的金属聚合物(al-c-cl)，这些聚合物往往会附着在光刻胶表面。一旦刻蚀完成，必须立即去除光刻胶，否则，若光刻胶上粘附的含氯金属聚合物与环境中的微小水滴接触，氯离子便会与水发生反应生成盐酸，进而引发铝的腐蚀现象，对半导体器件的性能造成严重损害。
2、在厚铝(厚度大于1μm)的刻蚀工艺中，由于刻蚀所需的能量更高、时间更长，所产生的刻蚀副产物也相应增多。一方面，光刻胶表面在高能等离子体的长时间轰击下，更容易发生碳化并逐渐变硬，形成一层难以去除的硬壳；另一方面，大量的刻蚀副产物(含氯金属聚合物)会聚集在光刻胶表面，从而在光刻胶与外界环境之间形成一层阻隔层，这层阻隔层会显著阻碍去胶过程中氧气与光刻胶的直接接触。因此，在厚铝刻蚀后的去胶环节，很容易出现光刻胶残留的现象。若不能将残留的光刻胶彻底清除，最终将对半导...
【技术保护点】
1.一种厚铝刻蚀工艺后光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中的水汽处理过程包括：引入水汽对所述晶圆进行等离子表面处理，去除所述光刻胶表面的含氯金属聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中的氧气去胶过程包括：引入氧气、水汽和氮气对所述晶圆进行等离子表面处理，去除所述光刻胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中水汽处理和氧气去胶构成一个去胶循环，重复执行3-5次。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中混合气体的...
【技术特征摘要】
1.一种厚铝刻蚀工艺后光刻胶的去除方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3中的水汽处理过程包括：引入水汽对所述晶圆进行等离子表面处理，去除所述光刻胶表面的含氯金属聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3中的氧气去胶过程包括：引入氧气、水汽和氮气对所述晶圆进行等离子表面处理，去除所述光刻胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3中水汽处理和氧气去胶构成一个去胶循环，重复执行3-5次。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2中混合气体的氧氮体积比为4:1至20：1。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s2中所述氧气处理的工艺参数为：氧气流量2000-5000sccm，氮气流量200-800sccm，射频功率...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明明，顾春伟，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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