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本发明提供一种闪存器件的制造方法，提供衬底，衬底包含存储区、载带区和外围逻辑区，在存储区和外围逻辑区上形成叠层结构，叠层结构由自下而上依次堆叠的耦合层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层组成；在控制栅多晶硅层上形成第一ONO层，第一O...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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