闪存器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的制造方法，提供衬底，衬底包含存储区、载带区和外围逻辑区，在存储区和外围逻辑区上形成叠层结构，叠层结构由自下而上依次堆叠的耦合层、浮栅多晶硅层、极间介质层、控制栅多晶硅层组成；在控制栅多晶硅层上形成第一ONO层，第一ONO层由自下而上依次堆叠的第一氧化层、第一氮化层、第二氧化层组成；在存储区上的第一ONO层及其下方的叠层结构上形成字线沟槽，在字线沟槽中形成隧穿氧化层，之后形成填充字线沟槽且覆盖第一ONO层的字线多晶硅层；研磨字线多晶硅层及其下方的第二氧化层至第一氮化层上或预留部分厚度的第一氮化层；去除第一氮化层。本发明专利技术避免了前层带来的刻蚀不均匀性的影响，改善了研磨厚度差异和负载效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种闪存器件的制造方法。

技术介绍

1、现有技术的一种闪存器件的制造方法包括：

2、步骤一、提供衬底201，衬底201包含存储区、载带区和外围逻辑区，在存储区和外围逻辑区上形成叠层结构，叠层结构由自下而上依次堆叠的耦合层202、浮栅多晶硅层204、极间介质层205、控制栅多晶硅层206、硬掩膜层207组成，硬掩膜层207的材料为氧化物；

3、步骤二、在存储区上的硬掩膜层207及其下方的叠层结构上形成字线沟槽，字线沟槽的侧壁形成有侧墙结构209，在字线沟槽中形成隧穿氧化层210，之后形成填充字线沟槽的字线多晶硅层208，形成如图1所示的结构；

4、步骤四、研磨字线多晶硅层208至硬掩膜层207上，形成如图2所示的结构；

5、步骤五、去除外围逻辑区的硬掩膜层207及其下方的叠层结构，形成位于外围逻辑区上的外围逻辑区多晶硅层211，形成如图3所示的结构。

6、该方法研磨停止在硬掩膜层207上，无法抓epd(研磨停止终点)，存在在晶圆以及晶圆到晶圆范围内(例如同一晶圆上存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述耦合层为氧化层。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述极间介质层为第二ONO层，所述第二ONO层由自下而上依次堆叠的第三氧化层、第二氮化层、第四氧化层组成。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一氧化层由炉管热氧化的方法形成。

6....

【技术特征摘要】

1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述耦合层为氧化层。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤一中的所述极间介质层为第二ono层，所述第二ono层由自下而上依次堆叠的第三氧化层、第二氮化层、第四氧化层组成。

5.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述第一氧化层由炉管热氧化的方法形成。

6.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：步骤二中的所述氮化层和所述第二氧化层由化学气相沉积或炉管方式生长。

7.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢倩文，杨文广，王飞飞，罗朝以，李先宏，龚裕，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：