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本发明提供一种应变强化型半导体器件（３０）及用于该半导体器件制作的方法。一种方法，包括嵌入应变引发（ｓｔｒａｉｎ？ｉｎｄｕｃｉｎｇ）半导体材料（１０２、１０６）于该器件的源极区（１０３、１０７）及漏极区（１０５、１０９）中来引发器件沟道（７...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

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