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本发明涉及一种用于制造半导体结构元件的方法，包括：提供衬底层和/或漏极层、施加在衬底层和/或漏极层上的第一类型掺杂的漂移层和/或扩散层、施加在漂移层和/或扩散层上的通道层和引入到通道层中的和/或施加到通道层上的第一类型掺杂的源极层；构造栅极...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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