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本发明涉及一种半导体结构元件、尤其是晶体管，具有：第一类型掺杂的源极层、尤其是第二类型掺杂的通道层、第一类型掺杂的漂移区域、衬底层；通道层位于源极层和衬底层之间，并且尤其是邻接源极层，漂移区域位于通道层和衬底层之间，半导体结构元件此外具有栅...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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