温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种静电保护结构及其形成方法，结构包括：具有深N型阱区的衬底；第一隔离结构，位于PMOS区和NMOS区的深N型阱区中且相间隔；P型阱区和N型阱区，位于深N型阱区中，同一MOS区中，P型阱区与N型阱区相间隔，相邻MOS区的N型阱区与P型阱区相...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。