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本发明公开了一种半桥D‑Mode GaN驱动死区控制检测电路，包括偏置产生电路、常见半桥D‑Mode GaN电路和半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路，偏置产生电路为后续电路提供偏置电压和偏置电流，常见半桥D‑Mode GaN电路采...
该专利属于苏州炬仁半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州炬仁半导体有限公司授权不得商用。

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