一种半桥D-Mode GaN驱动死区控制检测电路制造技术

本发明专利技术公开了一种半桥D‑Mode GaN驱动死区控制检测电路，包括偏置产生电路、常见半桥D‑Mode GaN电路和半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路，偏置产生电路为后续电路提供偏置电压和偏置电流，常见半桥D‑Mode GaN电路采用LLC谐振变换器电路拓扑结构，半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路输入端连接D‑Mode GaN下部分L‑DMOS的源端，检测L‑DMOS的源端电压的变化，施密特触发电路输入端连接半桥D‑Mode GaN驱动死区时刻检测电路的输出端，用于调节检测死区时刻来临时的电压阈值并有一定的电压裕量抵抗噪声干扰；通过对死区时刻的准确捕捉，即使在复杂多变的工况环境下，也能保持出色的检测精度，具有准确的死区时刻检测能力以及抗干扰能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及检测电路，具体为一种半桥d-mode gan驱动死区控制检测电路。

技术介绍

1、随着开关电源技术不断朝着更高功率密度、系统更加小型化以及轻量化的发展趋势迈进，第三代宽禁带半导体材料——氮化镓(gan)凭借其高击穿电场、卓越的高电子迁移率以及令人瞩目的高电子饱和速度等一系列独特优势，已成为业界公认的全新发展方向。gan器件的这些特性使得其在高频应用中展现出非凡的潜力。

2、由于gan器件的工作频率能够显著提升至远超传统半导体材料的水平，这一特性极为关键地促进了系统中无源器件——如电感和电容的体积大幅度减小，进而为实现开关电源的小型化提供了强有力的技术支撑。同时，由于gan器件的工作频率得以大幅提高，为了更有效地减小功率损耗，gan功率器件在实际应用中往往需要被设计工作在零电压开关(zvs)和零电流开关(zcs)的条件下。这两种开关模式能够最大限度地减少开关过程中的能量损失，从而进一步提升系统的整体效率。

3、然而，在gan功率器件的应用过程中，一个不容忽视的问题是防止上下管之间的穿通现象。一旦上下管发生穿通，将会导致系本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半桥D-Mode GaN驱动死区控制检测电路，包括偏置产生电路、常见半桥D-ModeGaN电路和半桥D-Mode GaN驱动死区时刻检测电路，其特征在于：所述偏置产生电路为后续电路提供偏置电压和偏置电流，所述常见半桥D-Mode GaN电路采用LLC谐振变换器电路拓扑结构，所述半桥D-Mode GaN驱动死区时刻检测电路输入端连接D-Mode GaN下部分L-DMOS的源端，检测L-DMOS的源端电压的变化。

2.根据权利要求1所述的一种半桥D-Mode GaN驱动死区控制检测电路，其特征在于：所述半桥D-Mode GaN驱动死区时刻检测电路包括D-Mode GaN半...

【技术特征摘要】

1.一种半桥d-mode gan驱动死区控制检测电路，包括偏置产生电路、常见半桥d-modegan电路和半桥d-mode gan驱动死区时刻检测电路，其特征在于：所述偏置产生电路为后续电路提供偏置电压和偏置电流，所述常见半桥d-mode gan电路采用llc谐振变换器电路拓扑结构，所述半桥d-mode gan驱动死区时刻检测电路输入端连接d-mode gan下部分l-dmos的源端，检测l-dmos的源端电压的变化。

2.根据权利要求1所述的一种半桥d-mode gan驱动死区...

【专利技术属性】
技术研发人员：田瑶，李兵，熊张良，花峰，
申请(专利权)人：苏州炬仁半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：