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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体制备技术领域。本发明中，基底可包括多个有源区和位于多个有源区一侧的端头区，阻挡层可位于端头区；因此，可利用阻挡层遮蔽端头区中的部分控制栅层和第一侧墙，进而在后续对控制栅层执行蚀刻形成多个分...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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