一种半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制作方法，应用于半导体制备技术领域。本发明专利技术中，基底可包括多个有源区和位于多个有源区一侧的端头区，阻挡层可位于端头区；因此，可利用阻挡层遮蔽端头区中的部分控制栅层和第一侧墙，进而在后续对控制栅层执行蚀刻形成多个分立的存储单元后，使得与端头区中的第一侧墙直接接触的部分控制栅层保留下来，即沿水平方向增宽了端头区中第一侧墙位置处的宽度，避免了该位置处第一侧墙的深宽比较大而极易发生端头区的第一侧墙发生剥离的问题。进一步的，通过将所述阻挡层设置为后续对控制栅层执行蚀刻形成多个分立的存储单元过程中的光刻胶掩膜层的方式，简化制程工艺、降低制作成本，并提高NORD闪存器件的可靠性和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

1、闪存器件作为一种非易变性存储器，通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关，从而达到存储数据的目的，使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。

2、针对nord闪存器件，用于隔离不同有源区条的沟槽隔离(例如浅沟槽隔离结构，sti)在经过nord闪存器件的离子注入和蚀刻工艺后，其所包含的绝缘材质(例如氧化物)在湿法刻蚀的过程中刻蚀速率会变快，因此形成栅极氧化层之前的湿法预清洗工艺，势必会造成沟槽隔离被湿法侧掏、及衍生出的位于沟槽隔离上的控制栅层和字线距离太近而发生漏电的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以通过将形成栅极氧化层之前的清洗工艺进行多步分解，并对沟槽隔离的厚度进行实时在线监控相结合的方式，避免沟槽隔离被湿法侧掏所衍生出的控制栅层和字线距离太近而发生漏电的问题。

2、第一方面，为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种半导体器件的制作方法，至少包括如本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层选自旋涂硬掩模材料、旋涂碳材料、抗反射涂层或光刻胶中的至少一种。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，蚀刻去除所述有源区和所述端头区的部分所述控制栅层、所述层间介质层、以及所述浮栅层的过程中，可以材料为所述光刻胶的所述阻挡层为掩膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基底还包括逻辑区，所述逻辑区具有栅极结构，所述第一侧墙还延伸覆盖在所述栅极结构的侧壁上。

5.如权利要求4所述的半导...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述阻挡层选自旋涂硬掩模材料、旋涂碳材料、抗反射涂层或光刻胶中的至少一种。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，蚀刻去除所述有源区和所述端头区的部分所述控制栅层、所述层间介质层、以及所述浮栅层的过程中，可以材料为所述光刻胶的所述阻挡层为掩膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基底还包括逻辑区，所述逻辑区具有栅极结构，所述第一侧墙还延伸覆盖在所述栅极结构的侧壁上。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：

6.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成闪存器件位于所述有源区和所述端头区的基底上的步骤，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：周海洋，沈权豪，王会一，祝煌昆，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：