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本申请涉及半导体器件领域且提供一种MEMS扬声器的制造方法。所述制造方法包括：刻蚀操作，刻蚀沉积于硅片上的压电结构，形成贯穿所述压电结构的狭缝；背刻保护操作；背刻操作；背刻保护去除操作和划片操作，所述制造方法还包括可拉伸膜设置操作，所述可拉...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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