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MEMS扬声器的制造方法技术

技术编号:45397795 阅读:20 留言:0更新日期:2025-05-30 17:49
本申请涉及半导体器件领域且提供一种MEMS扬声器的制造方法。所述制造方法包括:刻蚀操作,刻蚀沉积于硅片上的压电结构,形成贯穿所述压电结构的狭缝;背刻保护操作;背刻操作;背刻保护去除操作和划片操作,所述制造方法还包括可拉伸膜设置操作,所述可拉伸膜设置操作在所述刻蚀操作和所述背刻保护操作之间,或者,所述可拉伸膜设置操作在所述背刻保护去除操作和所述划片操作之间。通过可拉伸膜设置操作,在压电结构的靠电极层侧设置覆盖狭缝的可拉伸膜,由此能够将可拉伸膜集成到MEMS扬声器中。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及一种mems扬声器的制造方法。


技术介绍

1、目前,mems(微电子机械系统,microelectromechanical systems)得到了广泛的引用,例如mems扬声器。

2、本申请专利技术人发现,由于传统的mems扬声器具有狭缝,导致低频响应较差,另外,在现有的一些技术中,存在通过配置非可拉伸膜的结构,但这样的结构会导致中高频响应的恶化。

3、本部分旨在为权利要求书中陈述的本申请实施例提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。


技术实现思路

1、本申请专利技术人发现,通过在mems扬声器振膜的表面设置可拉伸膜,利用可拉伸膜填充或者覆盖振动用空间,遮挡声波的泄露通道,减少振动用空间带来的声音泄露,削弱声短路效应,提高扬声器的低频响应。同时,利用可拉伸膜的可拉伸特性,减弱可拉伸膜对振膜振动的抑制作用,保证扬声器的中高频特性受到的影响较小,由此,可以实现在基本不影响扬声器中高频特性的前提下改善低频的响应。

2、不本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS扬声器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在所述刻蚀操作之前还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,

10....

【技术特征摘要】

1.一种mems扬声器的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法在所述刻蚀操作之前还包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,

12.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,

13.根据权利要求1至12...

【专利技术属性】
技术研发人员:张孟伦徐林炳庞慰
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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