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本发明提供一种高压半导体器件结构的制备方法，包括：在基底上形成间隔排布的沟槽；在沟槽表面形成保护衬垫；在基底上形成掩膜层，在掩膜层中设置定义漂移区的注入窗口，通过注入窗口对沟槽的侧壁和底部进行离子注入，以在沟槽的侧壁和底部形成漂移区；离子注...
该专利属于青岛澳柯玛云联信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛澳柯玛云联信息技术有限公司授权不得商用。

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