高压半导体器件结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种高压半导体器件结构的制备方法，包括：在基底上形成间隔排布的沟槽；在沟槽表面形成保护衬垫；在基底上形成掩膜层，在掩膜层中设置定义漂移区的注入窗口，通过注入窗口对沟槽的侧壁和底部进行离子注入，以在沟槽的侧壁和底部形成漂移区；离子注入之后，在沟槽中填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离结构。本发明专利技术仅需较低的离子注入能量就可以形成浅沟槽隔离结构下的均匀分布的漂移区，可以大大降低所需的光刻胶的厚度，同时离子注入时不需要穿过浅沟槽隔离结构里填充的绝缘物，不存在实际注入剂量损失的问题，可以大大提高漂移区掺杂浓度的精确控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路设计及制造领域，特别是涉及一种高压半导体器件结构的制备方法。

技术介绍

1、高压(hv)器件为了能够承受较高的电压而不被击穿，其器件结构较传统的低压(lv)cmos器件进行调整，需要使得漏端(drain)的高电压在到达沟道时电压需要有所降低，通常做法是设置一个漂移区，该漂移区的主要作用是将栅端(gate)和漏端(drain)的距离拉长，使得漏端到栅端的击穿电压提高，当器件中预先形成有浅沟槽隔离结构(sti)时，漂移区的注入深度要求大于浅沟槽隔离结构深度。

2、传统的漂移区形成方法是在浅沟槽隔离结构形成之后通过高能离子注入方式实现，这种工艺需要高能的离子注入，所以需要较厚的光刻胶进行阻挡，工艺难度较大，而且在离子注入过程中由于要穿透浅沟槽隔离结构较厚的氧化物层，会导致离子注入实际剂量的损失(loss)，从而难以保证最终漂移区的离子掺杂浓度。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成间隔排布的沟槽包括：

3.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：所述高压半导体器件结构为NMOS器件，对所述沟槽的侧壁和底部进行离子注入的离子为N型离子，以形成N型漂移区；或者所述高压半导体器件结构为PMOS器件，对所述沟槽的侧壁和底部进行离子注入的离子为P型离子，以形成P型漂移区。

4.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：通过控制离子注入的注入能量和注...

【技术特征摘要】

1.一种高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于，在所述基底上形成间隔排布的沟槽包括：

3.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：所述高压半导体器件结构为nmos器件，对所述沟槽的侧壁和底部进行离子注入的离子为n型离子，以形成n型漂移区；或者所述高压半导体器件结构为pmos器件，对所述沟槽的侧壁和底部进行离子注入的离子为p型离子，以形成p型漂移区。

4.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：通过控制离子注入的注入能量和注入剂量，使所述漂移区完全包覆浅沟槽隔离结构的底部和侧壁。

5.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：所述沟槽的截面形状为倒梯形，所述沟槽的深度为2500埃～3500埃。

6.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：所述保护衬垫包括二氧化硅层，所述二氧化硅层通过热氧化工艺形成在所述沟槽表面。

7.根据权利要求1所述的高压半导体器件结构的制备方法，其特征在于：对所述沟槽的侧壁和底部进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：