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本发明提供一种半导体器件的制造方法，将现有技术中在形成PMOS区的锗硅源漏之后打开NMOS区的第二硬掩膜层的步骤，调整到用于形成PMOS区的锗硅源漏的光刻工艺之前，并采用化学机械抛光CMP的方法一道去除NMOS区和PMOS区的栅极顶部上的第...
该专利属于青岛澳柯玛云联信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛澳柯玛云联信息技术有限公司授权不得商用。

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