【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、在半导体
中，随着纳米加工技术的迅速发展，晶体管的工艺节点已推进到28纳米级以下，其中sige(称为锗硅或锗化硅)由于优异性能而被引入到pmos晶体管的源漏中，以提高pmos晶体管的空穴载流子的迁移率。
2、然而，现有的引入sige源漏到pmos晶体管的cmos工艺，存在光罩成本高和容易产生衬底表面损伤或表面凹陷的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，能够引入sige源漏到pmos晶体管中，且节约光罩，改善衬底表面损伤或表面凹陷的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的制造方法，其包括以下步骤：
3、提供具有pmos区和nmos区的衬底，在所述衬底的表面上形成氧化层、栅极层和第一硬掩膜层，并刻蚀所述第一硬掩膜层和栅极层，以在所述pmos区和nmos区上形成栅极；
4、在各个所述栅极的侧壁上形成栅极侧墙，...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接触刻蚀停止层和所述牺牲介质层均为氧化物，所述第一湿法工艺的刻蚀液包括氢氟酸。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层顶部上的接触刻蚀停止层被所述化学机械抛光或所述第一湿法工艺同步去除。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用第二湿法工艺的刻蚀液包括磷酸。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的材料相同。
6.如权利要求1所述的制造...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接触刻蚀停止层和所述牺牲介质层均为氧化物，所述第一湿法工艺的刻蚀液包括氢氟酸。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层顶部上的接触刻蚀停止层被所述化学机械抛光或所述第一湿法工艺同步去除。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用第二湿法工艺的刻蚀液包括磷酸。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层的材料相同。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接触刻蚀停止层和所述第二硬掩膜层均采用原子层沉积工艺形成。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层之前，先在所述锗硅源漏的顶面上形成保护层；和/或，在去除所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层之后，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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