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本发明公开了一种高光束质量193nm紫外激光产生装置，涉及激光电子技术领域。所述装置包括1064nm皮秒泵浦激光源、2053nm皮秒激光源，用于产生泵浦激光；二倍频晶体、四倍频晶体、213nm和频晶体、193nm和频晶体，用于非线性频率变换...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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