当前位置: 首页 > 专利查询>天津大学专利>正文

高光束质量193nm紫外激光产生装置制造方法及图纸

技术编号:45341729 阅读:21 留言:0更新日期:2025-05-27 18:54
本发明专利技术公开了一种高光束质量193nm紫外激光产生装置,涉及激光电子技术领域。所述装置包括1064nm皮秒泵浦激光源、2053nm皮秒激光源,用于产生泵浦激光;二倍频晶体、四倍频晶体、213nm和频晶体、193nm和频晶体,用于非线性频率变换;温控装置:用于控制晶体温度;双色镜,用于分离激光;柱面镜,用于光束整形;透镜,用于聚焦光束。所述装置使用1064nm光源进行四倍频得到213nm,获得的213nm与2053nm输入至非线性频率变换模块中,得到193nm激光。所述装置确保了激光输出在高功率的同时,具备良好的稳定性与优异的光束质量,结构简单,适用于光刻、光谱学、医学等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光电子,尤其涉及一种高光束质量193nm紫外激光产生装置。


技术介绍

1、193nm紫外激光在光刻、光谱学、医学等领域有广泛的应用,例如193nm激光器作为arf振荡器和放大器已经成功用于光刻。然而,arf准分子激光器的低相干性限制了更广泛的应用。相比于准分子激光器,基于固体激光器非线性频率变换获得的193nm深紫外光源具有高光束质量、高重频、高相干性等优点,寿命更长,维护成本更低,已经用于半导体检测和光纤光栅刻写等方面,具有很大的市场前景和发展潜力。

2、目前,193 nm激光的产生依赖于非线性光学晶体(如lbo、kbbf)的级联和频过程,深紫外晶体的生长技术复杂,如kbbf晶体的层状结构导致其难以加工为实用化器件,需依赖棱镜耦合技术实现深紫外输出,增加了技术复杂性和成本,而lbo晶体的转换效率较低,低效率限制了输出功率的提升,bbo晶体的走离角较大难以保证光束质量与效率,同时高功率下晶体易受热效应和光损伤影响,难以满足工业上对高光束质量、高效率的193nm激光器的需求。此外,在光学系统设计中,现有的激光器中常未配置聚焦透镜,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于包括:

2.如权利要求1所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述第一皮秒激光源(1)和第二皮秒激光源(2)分别为1064nm皮秒激光源(1)和2053nm皮秒激光源(2)。

3.如权利要求2所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述1064nm皮秒激光源(1)是由掺钕钇铝石榴石Nd:YAG晶体或掺钕钒酸钇Nd:YVO4晶体作为增益介质的脉冲激光振荡器或脉冲激光放大器,重复频率为81.9MHz。

4.如权利要求2所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于包括:

2.如权利要求1所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述第一皮秒激光源(1)和第二皮秒激光源(2)分别为1064nm皮秒激光源(1)和2053nm皮秒激光源(2)。

3.如权利要求2所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述1064nm皮秒激光源(1)是由掺钕钇铝石榴石nd:yag晶体或掺钕钒酸钇nd:yvo4晶体作为增益介质的脉冲激光振荡器或脉冲激光放大器,重复频率为81.9mhz。

4.如权利要求2所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述2053nm皮秒激光源(2)的中心波长为2053nm,重复频率为81.9mhz。

5.如权利要求1所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述的第一延时器(13)和第二延时器(24)是任意一种能够对1064nm红外激光脉冲进行延时的装置,用于使所述1064nm红外激光脉冲的时域与所述266nm深紫外激光脉冲的时域重合。

6.如权利要求1所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述第一半波片(12)为1064nm红外激光脉冲的半波片,镀有1064nm增透膜,所述第二半波片(23)为2053nm红外激光脉冲的半波片,镀有2053nm增透膜;所述第一近红外反射镜(4)、第二近红外反射镜(14)和第三近红外反射镜(15)镀有1064nm红外激光脉冲高反膜;所述2053nm反射镜(26)镀有2053nm红外激光脉冲高反膜。

7.如权利要求1所述的高光束质量193nm紫外激光产生装置,其特征在于:所述二倍频晶体lbo(5)是一种能够对1064nm红外激光脉冲进行二倍频转换的lbo晶体,该晶体的两个通光面均镀有1064nm和532nm增透膜;所述四倍频晶体clbo(8)是一种能够对532nm激光进行倍频的晶体clbo,该晶体的两个通光面均镀532nm和266nm增透膜;所述第一和频晶体clbo(19)是一种能够进行和频的晶体clbo,该晶体的两个通光面均镀10...

【专利技术属性】
技术研发人员:范锦涛万艳陈文彬胡明列
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1