温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出了两种具有U型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构，均通过中部屏蔽区和顶部屏蔽区将沟槽栅极的侧壁完整包覆，一方面能提高MOSFET的导通能力和耐压性，另一方面能减少电场尖峰现象，降低栅氧层击穿风险；均跨越三区/层，这样有助于优化整个元...
该专利属于无锡芯动半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯动半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。