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本发明提出了两种具有阶梯型沟槽的碳化硅MOSFET元胞结构，均通过中部屏蔽区和顶部屏蔽区将沟槽的侧壁完整包覆，一方面能够提高MOSFET的导通能力和耐压性，另一方面能够减少电场尖峰现象，降低栅氧层击穿风险；两种元胞结构的中部屏蔽区均跨越三区...
该专利属于无锡芯动半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡芯动半导体科技有限公司授权不得商用。

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