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本发明涉及一种自选择侧向生长的大尺寸金刚石(110)单晶及其制备方法，制备方法包括：选取X个金刚石衬底；在每个金刚石衬底的上表面生长(110)晶向的外延金刚石层，获得X个(110)单晶外延结构；X个(110)单晶外延结构均具有(100)晶向...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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