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本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，其中，LDMOS器件包括硅衬底、源区、漏区、栅区、沟槽结构、N型漂移区和P型阱区，其中：硅衬底上的N型漂移区中设有源区、漏区、栅区、沟槽结构和P型阱区；沟槽结构位于源区和漏...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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