一种LDMOS器件及其制备方法技术

本申请涉及半导体器件技术领域，公开了一种LDMOS器件及其制备方法，其中，LDMOS器件包括硅衬底、源区、漏区、栅区、沟槽结构、N型漂移区和P型阱区，其中：硅衬底上的N型漂移区中设有源区、漏区、栅区、沟槽结构和P型阱区；沟槽结构位于源区和漏区之间；源区包括P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，设于栅区和漏区之间；漏区包括第二N型重掺杂区；栅区包括多晶结构以及包裹所述多晶结构的第一高介电常数绝缘层；P型阱区与设于P型阱区正上方的源区接触，以及与设于P型阱区正左方的栅区接触，在栅源电压高于开启电压的情况下，所述P型阱区内形成导电沟道，解决了如何提高器件击穿电压的同时降低导通电阻的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种ldmos器件及其制备方法。

技术介绍

1、目前，随着功率集成电路的集成度不断提高，其对电路及器件的各项特性的要求也越来越高。在射频功率器件中，ldmos(横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件相比其它功率器件，展现了高可靠性、高线性度等优良电学特性，以及与传统的cmos工艺兼容的优点成为了射频功率器件领域的研究热点，如何降低ldmos器件的导通电阻以及提高击穿电压等电学特性称为业界关注的焦点。相关功率ldmos在关闭时能够承受高电压的能力，主要是由一定长度的轻掺杂的漂移区决定的。为了提高器件的击穿电压，需要增加漂移区的长度并降低漂移区的掺杂浓度，但这和减小器件导通电阻的设计目标存在一定的矛盾关系。

技术实现思路

1、本申请提供一种ldmos器件及其制备方法，其解决了如何提高器件击穿电压的同时降低导通电阻的技术问题，达到了提高器件集成度的技术效果。

2、为了达到上述目的，本申请采用的主要技术方案包括：

3、第一方面，本申请实施例提供一种ldmos器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括硅衬底、源区、漏区、栅区、沟槽结构、N型漂移区和P型阱区，其中：硅衬底上的N型漂移区中设有源区、漏区、栅区、沟槽结构和P型阱区；沟槽结构位于源区和漏区之间；源区包括P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，设于栅区和漏区之间；漏区包括第二N型重掺杂区；栅区包括多晶结构以及包裹所述多晶结构的第一高介电常数绝缘层；P型阱区与设于P型阱区正上方的源区接触，以及与设于P型阱区正左方的栅区接触，在栅源电压高于开启电压的情况下，所述P型阱区内形成导电沟道。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述硅衬底包括SOI层和P型外延衬底，所述SOI层...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，其特征在于，包括硅衬底、源区、漏区、栅区、沟槽结构、n型漂移区和p型阱区，其中：硅衬底上的n型漂移区中设有源区、漏区、栅区、沟槽结构和p型阱区；沟槽结构位于源区和漏区之间；源区包括p型重掺杂区和第一n型重掺杂区，设于栅区和漏区之间；漏区包括第二n型重掺杂区；栅区包括多晶结构以及包裹所述多晶结构的第一高介电常数绝缘层；p型阱区与设于p型阱区正上方的源区接触，以及与设于p型阱区正左方的栅区接触，在栅源电压高于开启电压的情况下，所述p型阱区内形成导电沟道。

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于，所述硅衬底包括soi层和p型外延衬底，所述soi层位于n型漂移区和p型外延衬底之间。

3.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟槽结构包括从上而下依次设置的低介电常数绝缘层和二氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的ldmos器件，其特征在于，所述沟槽结构外侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：许凯，蔡豪，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：