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本发明公开了一种驱动高边NMOS功率场效应管的电荷泵架构，包括：PMOS管M1，NMOS管M2、M3和M4，电荷储存电容C1，飞电容C2，高边驱动单元，低边驱动单元，VCC生成单元，反馈单元，电平转换单元。本发明提供的电荷泵架构，其基于倍压...
该专利属于苏州新致行电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州新致行电子有限公司授权不得商用。

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