温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超级结MOS器件的制造方法。该方法包括：提供半导体基层，半导体基层包括基底层和第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上通过硬掩模层定义出超级结图案；基于超级结图案刻蚀外延层，在第一导电类型...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。