【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种超级结mos器件的制造方法。
技术介绍
1、为了解决额定电压的提高而导致导通电阻增加的问题，超级结mos器件在漏端和源端之间排列多个垂直的pn结的结构，以在保持高电压的同时实现了低导通电阻。超级结的存在大大突破了硅的理论极限，而且额定电压越高，导通电阻的下降越明显。
2、相关技术方案在制造超级结结构时，通常先基于掩模版上的图案刻蚀第一导电类型外延层形成沟槽，然后在不去除掩模版的前提下通过掺杂外延工艺在沟槽中外延生长形成第二导电类型外延层。
3、但是相关技术在外延生长形成第二导电类型外延层的过程中，外延层容易完全反包住掩模版，由于掩模版和外延层的材质不同，因此相关技术容易导致后续工艺的应力缺陷。
技术实现思路
1、本申请提供了一种超级结mos器件的制造方法，可以解决相关技术容易导致后续工艺的应力缺陷的问题。
2、为了解决
技术介绍
中的技术问题，本申请提供一种超级结mos器件的制造方法，所述超级结mos器件的制造方法包括以下步骤：
3、提供半导体基层，所述半导体基层包括基底层和第一导电类型外延层；
4、在所述第一导电类型外延层上通过硬掩模层定义出超级结图案；
5、基于所述超级结图案刻蚀所述外延层，在所述第一导电类型外延层中形成深沟槽；
6、去除所述硬掩模层；
7、通过外延填充工艺向所述深沟槽中填充形成第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层填充满所述
8、制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中；
9、向所述第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区；
10、在所述第二导电类型体区中制作超级结mos器件的源漏极。
11、可选地，在所述通过外延填充工艺向所述深沟槽中填充形成第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层填充满所述深沟槽并超出所述深沟槽，反包在所述第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延反包层的步骤完成后，在所述制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中的步骤进行前还进行以下步骤：
12、通过化学机械研磨工艺减薄所述第二导电类型外延反包层。
13、可选地，所述通过化学机械研磨工艺减薄所述第二导电类型外延反包层的步骤完成后，剩余第二导电类型外延反包层的厚度为2um至3um。
14、可选地，所述基于所述超级结图案刻蚀所述外延层，在所述第一导电类型外延层中形成深沟槽的步骤中，所述深沟槽的深度为30um至50um。
15、可选地，所述制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中的步骤，包括：
16、从所述第一导电类型外延层区域的第二导电类型外延反包层上刻蚀所述第二导电类型外延反包层和所述第一导电类型外延层，形成栅沟槽；
17、在所述栅沟槽的内表面上形成栅氧化层；
18、在带有所述栅氧化层的栅沟槽中填充形成栅多晶硅。
19、可选地，所述向所述第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区的步骤，包括：
20、向所述第二导电类型外延反包层中注入剂量为1e13 atoms/cm2至2e14 atoms/cm2的第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区。
21、可选地，所述向所述第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区的步骤，包括：
22、以80kev至200kev能量，向所述第二导电类型外延反包层中注入的第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区。
23、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过外延填充工艺向所述深沟槽中填充形成p型外延层之前去除了n型外延层上的硬掩模层，并且p型外延层填充满深沟槽后超出所述深沟槽，反包在n型外延层上形成p型外延反包层，该p型外延反包层能够纵向扩大耗尽区，从而在在相同耐压下形成更浅的深沟槽，避免后续工艺出现应力缺陷的问题。
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1.一种超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述超级结MOS器件的制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述通过外延填充工艺向所述深沟槽中填充形成第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层填充满所述深沟槽并超出所述深沟槽，反包在所述第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延反包层的步骤完成后，在所述制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中的步骤进行前还进行以下步骤：
3.如权利要求2所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述通过化学机械研磨工艺减薄所述第二导电类型外延反包层的步骤完成后，剩余第二导电类型外延反包层的厚度为2um至3um。
4.如权利要求1所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中的步骤，包括：
5.如权利要求1所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述基于所述超级结图案刻蚀所述外延层，在所述第一导电类型外
6.如权利要求1所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述向所述第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区的步骤，包括：
7.如权利要求1所述的超级结MOS器件的制造方法，其特征在于，所述向所述第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得所述第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种超级结mos器件的制造方法，其特征在于，所述超级结mos器件的制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的超级结mos器件的制造方法，其特征在于，在所述通过外延填充工艺向所述深沟槽中填充形成第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层填充满所述深沟槽并超出所述深沟槽，反包在所述第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延反包层的步骤完成后，在所述制作形成沟槽栅，所述沟槽栅从所述第二导电类型外延反包层上向下延伸至所述第一导电类型外延层中的步骤进行前还进行以下步骤：
3.如权利要求2所述的超级结mos器件的制造方法，其特征在于，所述通过化学机械研磨工艺减薄所述第二导电类型外延反包层的步骤完成后，剩余第二导电类型外延反包层的厚度为2um至3um。
4.如权利要求1所述的超级结mos器...
【专利技术属性】
技术研发人员：支立明，冯海浪，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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