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本申请提供一种半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法，该方法包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成具有沟槽图案的硬掩膜层后，在衬底内形成多个沟槽，之后在硬掩膜层未遮蔽的区域表面形成衬垫氧化层；步骤二，回刻蚀硬掩膜层；步骤三，去除步骤一形成的衬...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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