半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法技术

本申请提供一种半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法，该方法包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成具有沟槽图案的硬掩膜层后，在衬底内形成多个沟槽，之后在硬掩膜层未遮蔽的区域表面形成衬垫氧化层；步骤二，回刻蚀硬掩膜层；步骤三，去除步骤一形成的衬垫氧化层后，在硬掩膜层未遮蔽的区域表面形成另一衬垫氧化层；步骤四，沉积氧化物以填满沟槽。形成的浅沟槽隔离结构与有源区边缘接触的顶端拐角的形貌不再尖锐，可以有效减小有源区侧边形成的寄生晶体管的漏电，阈值电压的roll‑off曲线显著改善。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法。

技术介绍

1、在半导体器件的制造过程中，于衬底中形成用于填充浅沟槽隔离(sti)的沟槽后，通常分两步完成浅沟槽隔离的填充，即先在沟槽内壁和沟槽顶端拐角处形成衬垫氧化层、再完成氧化物的填充，分别形成sti与有源区(aa)接触的边缘和填充材料。

2、以现有技术形成的sti与aa边缘接触的顶端拐角形貌通常比较尖锐，形成半导体器件后该位置的电场强度较高，容易导致双峰效应(double hump)，即器件在亚阈值区未达到阈值电压时，出现漏电使得器件提前开启的现象。产生double hump的主要原因为sti与aa边缘接触的顶端拐角形貌不佳，即沟道边缘的寄生晶体管开启，使器件漏电增加，阈值电压vt在roll-off曲线上从某个临界点开始，沟道越短，vt越低。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种半导体器件浅沟槽隔离结构及其制造方法，用于解决现有技术中sti与aa边缘接触的顶端拐角形貌不佳使器件漏电增加的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中回刻蚀的持续时间为40s-80s。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述回刻蚀使用的腐蚀液为热磷酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一中采用原位水蒸汽氧化工艺形成衬垫氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述原位水蒸汽氧化工艺的温度为1050℃-1250℃，所述衬垫氧化层的厚度为

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤三中通过具有高选择比的湿法刻...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二中回刻蚀的持续时间为40s-80s。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述回刻蚀使用的腐蚀液为热磷酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一中采用原位水蒸汽氧化工艺形成衬垫氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述原位水蒸汽氧化工艺的温度为1050℃-1250℃，所述衬垫氧化层的厚度为

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤三中通过具有高选择比的湿法刻蚀去除衬垫氧化层。

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【专利技术属性】
技术研发人员：何正临，王冉阳，郭振强，黄鹏，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：