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本申请涉及单晶硅制造技术领域，提供一种单晶硅棒的制作方法以及硅片，至少有利于管控单晶硅棒的电阻率均匀性。方法包括：制备测试单晶硅棒，根据测试单晶硅棒模拟初始掺杂浓度模型，初始掺杂浓度模型表征为，在等径工序中，测试单晶硅棒中掺杂剂的浓度随时间...
该专利属于晶科能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源股份有限公司授权不得商用。

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