【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅制造，特别涉及一种单晶硅棒的制作方法以及硅片。
技术介绍
1、单晶硅的生长中，为了调整单晶硅棒的电阻率，可以使用掺杂剂，例如硼(b)、磷(p)、砷(as)、锑(sb)等。在熔融工序中将掺杂剂与多晶硅原料一起投入坩埚内，通过加热器加热使掺杂剂与多晶硅一起熔化，从而产生包括硅锭掺杂剂的单晶硅棒。
2、但是，受掺杂剂的分凝系数和蒸发性的影响，导致单晶硅棒的不同位置电阻率不同，例如，磷元素在硅中分凝系数较小且蒸发速率较低，导致单晶硅棒的电阻率从头部至尾部逐渐下降，单晶硅棒头尾的电阻率差异较大；锑元素由于蒸发速率较快，在拉晶过程中硅熔液中的锑浓度下降，进而导致单晶硅棒的尾部电阻率上升。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种单晶硅棒的制作方法以及硅片，至少有利于管控单晶硅棒的电阻率均匀性。
2、根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种单晶硅棒的制作方法，包括：制备测试单晶硅棒，在制备测试单晶硅棒的熔融工序中加入掺杂剂；模拟初始掺杂浓度模型，初始掺杂浓度...
【技术保护点】
1.一种单晶硅棒的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，在每次所述补掺时间点下，补加掺杂剂的质量均相同；或者任意先后两次所述补掺时间点之间的时间差相同。
3.根据权利要求2所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，在每次所述补掺时间点下，补加掺杂剂的质量均相同，根据所述目标浓度区间对所述初始掺杂浓度模型进行优化，以获取所述预测模型包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，所述预设补掺计量大于或者等于所述第二浓度与所述第一浓度差值的1/3，且小于或者等于所述第二浓度与所...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，在每次所述补掺时间点下，补加掺杂剂的质量均相同；或者任意先后两次所述补掺时间点之间的时间差相同。
3.根据权利要求2所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，在每次所述补掺时间点下，补加掺杂剂的质量均相同，根据所述目标浓度区间对所述初始掺杂浓度模型进行优化，以获取所述预测模型包括：
4.根据权利要求3所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，所述预设补掺计量大于或者等于所述第二浓度与所述第一浓度差值的1/3，且小于或者等于所述第二浓度与所述第一浓度差值的2/3。
5.根据权利要求2所述的单晶硅棒的制作方法，其特征在于，任意先后两次所述补掺时间点之间的时间差相同，根据所述目标浓度区间对所述初始掺杂浓度模型进行优化，以获取所述预测模型包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：李凤春，程宇，徐涛，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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