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一种存储器结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，衬底包括若干有源区以及位于有源区两侧的隔离区；在有源区上依次形成第一子浮栅层以及控制栅介质层；以具有连接开口图案的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀控制栅介质层至暴露出第一子浮栅层表面，形成连接开口...
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