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本申请公开了一种GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构，方法包括如下步骤：提供芯片和框架，其中框架的上侧表面设有功能区和引线区；将芯片固晶在框架的功能区；S3，设置连接在芯片和框架的引线区之间的键合线；于芯片的表面、键合线的表面和框架的引...
该专利属于广西云芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广西云芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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