GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构技术

本申请公开了一种GaN HEMT芯片的封装方法及封装结构，方法包括如下步骤：提供芯片和框架，其中框架的上侧表面设有功能区和引线区；将芯片固晶在框架的功能区；S3，设置连接在芯片和框架的引线区之间的键合线；于芯片的表面、键合线的表面和框架的引线区制备防水绝缘膜层；制备包覆芯片、键合线和框架的引线区的封装胶体。相较GaN HEMT芯片的传统封装手段而言，本申请实施例中GaN HEMT芯片的封装结构新增了防水绝缘膜层，进而能够提高GaN HEMT器件的防潮性能和绝缘性能，有利于改善水气侵入导致的失效问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片封装，尤其涉及一种gan hemt芯片的封装方法及封装结构。

技术介绍

1、随着gan hemt芯片在高性能电子系统中的应用日益广泛，对封装技术的要求也愈发严格。传统的封装方法虽能在一定程度上满足防潮和绝缘需求，但面对更高端的应用场景，如汽车电机和数据中心，其防潮性能和绝缘性能已显不足。因此，开发一种新的封装方案，以提高gan hemt芯片的防潮性能和绝缘性能，成为当前亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于是提供一种gan hemt芯片的封装方法及封装结构，能够提高gan hemt芯片的防潮性能和绝缘性能。

2、为了实现上述目的，本申请提供了一种gan hemt芯片的封装方法，包括如下步骤：

3、s1，提供芯片和框架，其中所述框架的上侧表面设有功能区和引线区；

4、s2，将所述芯片固晶在所述框架的功能区；

5、s3，设置连接在所述芯片和所述框架的引线区之间的键合线；

6、s4，于所述芯片的表面、所述键合线的表面和所述框架的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN HEMT芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的GaN HEMT芯片的封装方法，其特征在于，所述芯片通过导热胶固晶在所述框架的功能区。

3.根据权利要求1所述的GaN HEMT芯片的封装方法，其特征在于，所述防水绝缘膜层为聚对二甲苯纳米镀膜层。

4.根据权利要求3所述的GaN HEMT芯片的封装方法，其特征在于，步骤S4中，将准备镀膜的组合体放入镀膜设备，利用真空化学气相沉积技术在所述芯片的表面、所述键合线的表面和所述框架的引线区制备所述聚对二甲苯纳米镀膜层。

5.根据权利要求1所述的GaN HE...

【技术特征摘要】

1.一种gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，所述芯片通过导热胶固晶在所述框架的功能区。

3.根据权利要求1所述的gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，所述防水绝缘膜层为聚对二甲苯纳米镀膜层。

4.根据权利要求3所述的gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，步骤s4中，将准备镀膜的组合体放入镀膜设备，利用真空化学气相沉积技术在所述芯片的表面、所述键合线的表面和所述框架的引线区制备所述聚对二甲苯纳米镀膜层。

5.根据权利要求1所述的gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，所述封装胶体为环氧树脂或硅胶。

6.根据权利要求1所述的gan hemt芯片的封装方法，其特征在于，步骤s5中，将完成镀膜的组合体放入模压机中，利...

【专利技术属性】
技术研发人员：许珀文，梁发权，邱德恒，
申请(专利权)人：广西云芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：