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本发明涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件。其包括封装壳体，封装壳体包括由上而下呈平行设置的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板以及设置于中层隔离板上的电路结构。本发明中，电子元件直接与上层隔离板...
该专利属于无锡市乾野微纳科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市乾野微纳科技有限公司授权不得商用。

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