一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件制造技术

本发明专利技术涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种大功率应用的集成MOSFET模块及冷却组件。其包括封装壳体，封装壳体包括由上而下呈平行设置的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板以及设置于中层隔离板上的电路结构。本发明专利技术中，电子元件直接与上层隔离板接触，而电子元件的两面分别与导热硅脂接触，从而增加了导热面积，在电路工作时，电子元件产生的热量会直接通过上层隔离板以及通过导热硅脂间接传导至上层隔离板、下层隔离板，氮化铝材质的上层隔离板、中层隔离板、下层隔离板、固定屏蔽板、活动屏蔽板具有优异的电绝缘性和导热性能，能够及时将热量导出并散发掉，从而确保对电子元件的冷却效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子，具体地说，涉及一种大功率应用的集成mosfet模块及冷却组件。

技术介绍

1、集成mosfet模块属于集成电路制造的一部分，集成mosfet模块通常包含多个mosfet和其他电子元件，这些元件被集成在一个封装内，形成一个具有特定功能的电路模块，大功率mosfet模块用于能量的整流、变换和传输，实现对能源的高效利用。

2、如cn115910979a中涉及三相大功率sic mosfet模块，包括基板、在基板上布局的电路铜层以及设置于所述电路铜层上的半导体功率电子元件；所述半导体功率电子元件包括上桥功率芯片组、下桥功率芯片组、电极探针及若干控制极电阻；所述上桥功率芯片组及所述下桥功率芯片组分别包括若干并联的半导体功率芯片，所述上桥功率芯片组与所述下桥功率芯片组的半导体功率芯片对称设置。

3、上述的mosfet模块的芯片并联布局方式虽然减小了相邻芯片的热耦合影响，但由于芯片并联设置的影响，相应的增加了模块在并联方向上的长度，使得模块的尺寸变大，需要更大的封装空间，增加了封装的难度和成本，另外，大功率mosfet模块由本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大功率应用的集成MOSFET模块，其特征在于：包括封装壳体（1），所述封装壳体（1）包括由上而下呈平行设置的上层隔离板（11a）、中层隔离板（11b）、下层隔离板（11c）以及设置于中层隔离板（11b）上的电路结构，所述下层隔离板（11c）设置有多个与所述电路结构电性连接的连接端子（113）；

2.根据权利要求1所述的大功率应用的集成MOSFET模块，其特征在于：所述驱动组件包括MOS管Q1、Q2，

3.根据权利要求1所述的大功率应用的集成MOSFET模块，其特征在于：所述芯片组包括MOS管VT3、VT4和三极管VT1、VT2、Q11、Q12、Q13、Q1...

【技术特征摘要】

1.一种大功率应用的集成mosfet模块，其特征在于：包括封装壳体（1），所述封装壳体（1）包括由上而下呈平行设置的上层隔离板（11a）、中层隔离板（11b）、下层隔离板（11c）以及设置于中层隔离板（11b）上的电路结构，所述下层隔离板（11c）设置有多个与所述电路结构电性连接的连接端子（113）；

2.根据权利要求1所述的大功率应用的集成mosfet模块，其特征在于：所述驱动组件包括mos管q1、q2，

3.根据权利要求1所述的大功率应用的集成mosfet模块，其特征在于：所述芯片组包括mos管vt3、vt4和三极管vt1、vt2、q11、q12、q13、q14，其中，

4.根据权利要求1所述的大功率应用的集成mosfet模块，其特征在于：所述保护组件包括电阻r42、r43、r44、二极管d21、d22、d23和电容c36，其中：

5.根据权利要求2所述的大功率应用的集成mosfet模块，其特征在于：所述mos管q2为n型mos管。

6.一种用于权利要求1-5中任意一项所述的大功率应用的集成mosfet模块的冷却组件，其特征在于：包括设置于所述中层隔离板（11b）上的散热组件；

7.根据权利要求6所述的用于大功率应用的集成mosfet模块的冷却组件，其特征在于：所述第二锁止结构包括一端与所述活动屏蔽板（13）中部连通的引导槽（131）以及与所述活动屏蔽板（13）中部滑动连接的卡合件（132），所述引导槽（13...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉炜，
申请(专利权)人：无锡市乾野微纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：