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本发明涉及基于InP衬底的SRD与耿氏二极管集成器件及其制备方法，器件包括：InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层、阳极接触层、器件隔离槽、电极凹槽、阳极和阴极，其中，InP衬底、缓冲层、阴极接触层、N夹层和阳极接触层自下而上依次设置；N夹...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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